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真空系统的基本知识

真空的定义：压力低于一个---压的任何气态空间，采用真空度来表示真空的高低。

真空单位换算：1---压≈1.0×105帕=760mmhg=760托

1托=133.3pa=1mmhg

1bar=100kpa

1mbar=100pa

1bar=1000mbar

tco玻璃=transparent conductive oxide 镀有透明导电氧化物的玻璃

tco材料：

sno2:f(fto fluorine doped tin oxide氟掺杂yang化锡)

zno:al(azo aluminum doped zinc oxide铝掺杂氧化锌)

in2o3:sn(ito indium tin oxide 氧化铟锡)

tco薄膜的制备工艺

1. 薄膜的性质是由制备工艺决定的，改进制备工艺的努力方向是使制成的薄膜电阻率低、透射率高且表面形貌好，薄膜生长温度低，与基板附着性好，耳机配件真空电镀，能大面积均匀制膜且制膜成本低。

2.主要生产工艺：镀膜过程中有气压、基片温度、靶材功率、镀膜速度；刻蚀过程中有hcl浓度、刻蚀速度、刻蚀温度。

真空pvd镀膜产品有一定的耐腐蚀性，耳机配件真空电镀价格，金属材料在接触酸碱等强腐蚀性物质时，发生化学反应这个是由材料本身特性决定的。因此，耳机配件真空电镀，平时使用或者保养维护时，尽量不选用含强酸强碱或去污能力强的清洗剂，金属清洗剂等直接擦洗表面。此外，如果长时间暴露在---环境中，或与腐蚀性液体长时间接触，pvd膜层也容易出现脱落等问题。

真空电镀反应溅射：

1.在溅射镀膜时，耳机配件真空电镀，有意识地将某种反应性气体如氮气，氧气等引入溅射室并达到一定分压，即可以改变或者控制沉积特性，从而获得不同于靶材的新物质薄膜，2.如各种金属氧化物、氮化物、碳化物及绝缘介质等薄膜。

3.直流反应溅射存在靶z毒，阳极消失问题，上个世纪80年代出现的直流脉冲或中频孪生溅射，使反应溅射可以---的工业应用。

4.反应磁控溅射所用的靶材料（单位素靶或多元素靶）和反应气体（氧、氮、碳氢化合物等）通常很容易获得---的纯度，因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。

5.反应磁控溅射中调节沉积工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。

6.反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高，而且成膜过程通常也并不要求对基板进行---温度的加热，因而对基板材料的---较少。

7.反应磁控溅射适合于制备大面积均匀薄膜，并能实现对镀膜的---工业化生产。

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