真空电镀工艺可能遇到的问题及对策
1.蒸发速率对蒸镀涂层的性能影响
蒸发速率的大小对沉积膜层的影响较大。由于低的沉积速率形成的膜层结构松散易产生大颗粒沉积，为---涂层结构的致密性，选择较高的蒸发速率是十分安全的。当真空室内残余气体的压力一定时，则轰击基片的轰击速率即为定值。因此，选择较高沉积速率后的沉积的膜内所含的残余气体会得到减小，从减小了残余气体分子与蒸镀膜材的化学反应。故，沉积膜的纯度即可提高。应当注意的是，沉积速率如果过大可能增加膜的内应力，致使膜层内缺陷增大，---时可导致膜层破。---是，在反应蒸镀过程中，为了使反应气体与镀膜材料粒子能够进行充分的反应，可选择较低的沉积速率。当然，手机配件ip电镀哪里好，对不同的材料蒸镀应当选用不同的蒸发速率。作为沉积速率低会影响膜的性能的实际例子，是反射膜的沉积。如膜厚为600*10-8cm，蒸镀时间为3s时，其反射率为93%。但是，如果在同样的膜厚条件下将蒸速率放慢，采用10min的时间来完成膜的沉积。这时膜的厚度虽然相同。但是，反射率已下降到68%。
2.基片温度对蒸发涂层的影响
基片温度对蒸发涂层的影响很大。高的基片温度吸附在基片表面上的残余气体分子易于排出。---是水蒸气分子的排除更为重要。而且，在较高的温度下不但易于促进物理吸附向化学吸附的转变，从而增加粒子之间的结合力。而且还可以减少蒸汽分子的再结晶温度与基片温度两者之间的差异，从而减少或消除膜基界面的内应力。此外，由于基片温度与膜的结晶状态有关，在基片温度低或不加热的条件下，往往容易形成非结晶态涂层。相反在较高温度时，则易于生成晶态涂层。提高基片温度也有利于涂层的力学性能的提高。当然，基片温度也不能过高，无锡手机配件ip电镀，以防止蒸发涂层的再蒸发。
在金属薄膜层的制备上，多采用真空电镀法。当下比较通用的的金属膜层分别有铝、锡、铟、铟锡合金、铬等。几种金属薄膜在应用上的差异主要表现在外观和导电性这两块上。
其中铟、锡、铟锡合金多用于电子产品，如手机、电脑边框和按，此类金属膜层不仅能赋予基材金属外观还具有其他几种金属膜不具备的膜延展性。这两种金属活性较低不易导电，对电子类产品信号产生影响较小也是其主要应用原因之一，所以通常我们也称之为不导电镀膜。铬金属膜外观黑亮，金属---强，并且具有较好的硬度因此受到一些装饰品和玩具制造者的---。
同其他几种金属膜相比应用z广泛的铝膜层，如制镜工业的以铝代银，集成电路中的铝刻蚀导线；聚酯薄膜表面镀铝制作电容器；涤纶聚酯薄膜镀铝制作，防止紫外线照射软包装袋；以及我们日常生活中所常见到的玩具、化妆品外包装及一些装饰品。
真空蒸镀铝薄膜既可选用间歇式蒸发真空镀膜，也可选用半连续式真空镀膜机。其蒸发源即可为电阻源、电子束源，也可以选用感应加热式蒸发源，可依据蒸镀膜材的具体要求而定。
真空蒸发镀铝涂层的工艺参数，手机配件ip电镀加工厂家，主要包括蒸镀室压力、沉积速率、基片温度、蒸发距离等。如果从膜片基体---布的均匀性上考虑，还应注意蒸发源对基片的相对位置及工件架的运动状态等因素。例如选用电子束蒸发源进行铝层制备时，其典型的主要工艺参数可选用：镀膜室工作压力2.6*10-4pa、蒸发速率为2~2.5nm/s、基片温度20℃，手机配件ip电镀哪里有，蒸距为450mm、电子束电压为9kv，电流为0.2a。
真空电镀：vacuum metalizing，即是物理气相沉积（pvd），即在真空下将原子打到靶材表面上达到镀膜的目的。运用于光学镜片，如航海望远镜镜片，后来随着技术的改进，延伸到了唱片、磁盘、光盘、手机外壳、机械刀具等材料上的装饰镀膜、材料表面改性等。
几乎所有金属、合金、及陶瓷材料都适用于真空电镀。
自然材料会影响真空环境，不适合真空电镀。
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