




真空电镀工艺的流程
1.加热蒸发过程
包括固相或液相转变为气相的过程,每种物质在不同的温度下有不同的饱和蒸气压。
2.气化原子或分子在蒸发源与基片之间的运输过程
此过程中气化原子或分子与残余气体分子发生碰撞,其碰撞与蒸发原子或分子的平均自由程以及蒸发源到基板距离有关。
3. 蒸发原子或分子在基片表面的沉积过程
即蒸汽的凝聚成核,真空电镀加工厂,核生长形成连续膜,为气相转变为固相的过程。
上述过程必须在空气稀薄的真空环境中(10-2~1pa)进行,否则蒸发粒子将于空气分子碰撞,使膜污染甚至形成氧化物,或者蒸发源氧化烧毁等。

真空镀膜运用辉光放电(glow discharge)将ya气(ar)离子碰击靶材(target)外表, 靶材的原子被弹出而堆积在基板外表构成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,可是镀膜速度却比蒸镀慢许多。新式的溅镀设备---都运用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加快靶材周围的ya气离子化, 造成靶与ya气离子间的碰击机率添加, 进步溅镀速率。
通常金属镀膜大都选用直流溅镀,而不导电的陶磁资料则运用rf沟通溅镀,---的原理是在真空中运用辉光放电(glow discharge)将ya气(ar)离子碰击靶(target)外表,真空电镀表面处理,电浆中的阳离子会加快冲向作为被溅镀材的负电极外表,真空电镀,这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上构成薄膜。
工艺关键词:电离惰性气体轰击靶材、靶材脱落沉积冷却成膜
溅镀的原理,是镀膜机腔体抽真空,直接以薄膜材料(靶材)当做电极,利用电极间见通电5kv~15kv产生的电浆轰击靶材,同时通入气体,气体发生离子化,粒子在电浆内移动,离子撞击靶材并使靶材表面原子脱离进而沉积在基板上,冷却浓缩成薄膜。
磁控溅镀
在直流溅镀或射频溅镀的基础上改进电极结构,亦即再把阴极内侧装置一磁铁,并使磁场方向垂直于极暗区电场方向,以便用磁场约束带电粒子的运转,这种溅射法称为磁控溅射。
由于磁场的作用力与电子的运转方向垂直,将形成电子回旋运动的向心力,此时中性物种间的撞击机率提高,始之在较低的压力下即能制作薄膜。
除了低压外,磁控溅射的另两项有优点就是高速,低温,因此也称之为高速低温溅镀法。
但是磁控溅镀也存在一些问题,如就平板磁控电极磁控电极而言,真空电镀,靶材中央及周边不为垂直于电厂的磁场分量越来越小,亦即与靶材表面平行的磁场分量小,使得在靶材表面的一个环形区域被溅射的异常快,而中央和边缘处溅射的少,如此下去便会出现w形侵蚀谷,使的靶材利用率降低,并且可能对薄膜的均匀性产生影响。
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