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真空系统的基本知识

真空的定义：压力低于一个---压的任何气态空间，手机配件ip电镀加工价格，采用真空度来表示真空的高低。

真空单位换算：1---压≈1.0×105帕=760mmhg=760托

1托=133.3pa=1mmhg

1bar=100kpa

1mbar=100pa

1bar=1000mbar

tco玻璃=transparent conductive oxide 镀有透明导电氧化物的玻璃

tco材料：

sno2:f(fto fluorine doped tin oxide氟掺杂yang化锡)

zno:al(azo aluminum doped zinc oxide铝掺杂氧化锌)

in2o3:sn(ito indium tin oxide 氧化铟锡)

tco薄膜的制备工艺

1. 薄膜的性质是由制备工艺决定的，改进制备工艺的努力方向是使制成的薄膜电阻率低、透射率高且表面形貌好，薄膜生长温度低，与基板附着性好，能大面积均匀制膜且制膜成本低。

2.主要生产工艺：镀膜过程中有气压、基片温度、靶材功率、镀膜速度；刻蚀过程中有hcl浓度、刻蚀速度、刻蚀温度。

真空电镀工艺可能遇到的问题及对策

1.蒸发速率对蒸镀涂层的性能影响

蒸发速率的大小对沉积膜层的影响较大。由于低的沉积速率形成的膜层结构松散易产生大颗粒沉积，为---涂层结构的致密性，扬州手机配件ip电镀，选择较高的蒸发速率是十分安全的。当真空室内残余气体的压力一定时，则轰击基片的轰击速率即为定值。因此，选择较高沉积速率后的沉积的膜内所含的残余气体会得到减小，从减小了残余气体分子与蒸镀膜材的化学反应。故，沉积膜的纯度即可提高。应当注意的是，沉积速率如果过大可能增加膜的内应力，致使膜层内缺陷增大，---时可导致膜层破。---是，在反应蒸镀过程中，手机配件ip电镀厂家在哪，为了使反应气体与镀膜材料粒子能够进行充分的反应，可选择较低的沉积速率。当然，对不同的材料蒸镀应当选用不同的蒸发速率。作为沉积速率低会影响膜的性能的实际例子，是反射膜的沉积。如膜厚为600*10-8cm，蒸镀时间为3s时，其反射率为93%。但是，如果在同样的膜厚条件下将蒸速率放慢，手机配件ip电镀价格，采用10min的时间来完成膜的沉积。这时膜的厚度虽然相同。但是，反射率已下降到68%。

2.基片温度对蒸发涂层的影响

基片温度对蒸发涂层的影响很大。高的基片温度吸附在基片表面上的残余气体分子易于排出。---是水蒸气分子的排除更为重要。而且，在较高的温度下不但易于促进物理吸附向化学吸附的转变，从而增加粒子之间的结合力。而且还可以减少蒸汽分子的再结晶温度与基片温度两者之间的差异，从而减少或消除膜基界面的内应力。此外，由于基片温度与膜的结晶状态有关，在基片温度低或不加热的条件下，往往容易形成非结晶态涂层。相反在较高温度时，则易于生成晶态涂层。提高基片温度也有利于涂层的力学性能的提高。当然，基片温度也不能过高，以防止蒸发涂层的再蒸发。